Elektronik II
BMT.E1402
P211-0031, P211-0033
bmt2
3
V
1
U
2
P
7
4
ja
Deutsch
Klausur (67%) und Ausarbeitung (6 studienbegleitende Laborversuche, 33%)
BMT.E1402
Biomedizinische Technik
4
Pflichtfach
BMT.E1402
Biomedizinische Technik
4
Pflichtfach
E1402
Elektrotechnik
4
Pflichtfach
Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 90 Veranstaltungsstunden (= 67.5 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 7 Creditpoints 210 Stunden (30 Stunden/ECTS Punkt). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 142.5 Stunden zur Verfügung.
Prof. Dr. Xiaoying Wang
xwa
Prof. Dr. Xiaoying Wang
xwa
Ausgehend von den dargestellten grundlegenden und weiterführenden Schaltungsprinzipien werden die Studierenden befähigt, verschiedenste analoge und digitale Schaltungen zu verstehen und eigenständig zu entwerfen. Sie wenden dazu die in der Vorlesung Elektronik I schon behandelten rechnerischen und grafischen Methoden zur Schaltungsanalyse und -dimensionierung, ggf. in modifizierter Form, auch auf Schaltungen mit Feldeffekttransistoren und Operationsverstärkern an.
An den im Praktikum durchzuführenden Versuchen erlernen die Studierenden den Umgang mit den typischen Messmitteln eines Elektroniklabors sowie die Aufbereitung der gewonnenen Messergebnisse.
- Operationsverstärker als Bauelement: Begriffe und Definitionen, Stabilität und Kompensation, Verstärkungs-Bandbreite-Produkt, nichtinvertierender und invertierender Verstärker,
Differenzverstärker, aktive Filter, Längsregler, logarithmischer Verstärker, Exponentialverstärker, Komparator, Schmitt-Trigger, astabiler Multivibrator, monostabiler Multivibrator,
- Feldeffekttransistoren: Sperrschichtfeldeffekttransistoren, Isolierschichtfeldeffekt-transistoren, n-Kanal und p-Kanal, Aufbau, Funktion, Kennlinien, Eigenschaften, Temperaturverhalten, FETTetrode, Kleinsignalmodelle,
- Schaltungen mit Feldeffekttransistoren: Arbeitspunkteinstellung, spannungsgesteuerter Widerstand, Kleinsignalverstärker, MOSFET-Inverter, NMOS-Gatter, CMOS-Gatter,
- Logikschaltungen mit Dioden und Bipolartransistoren: statisches Schaltverhalten und dynamisches Schaltverhalten von Diode und Bipolartransistor, Dioden-Transistor-Logik (DTL), Transistor-Transistor-Logik (TTL), Multiemittertransistor,
- Schaltungsprinzipien in Operationsverstärkern, Differenzverstärker, Kleinsignalverhalten, Transferkennlinie, Arbeitspunkte, Stromquellenschaltungen, Pegelschiebung, Endstufe,
- ECL-Gatter: Inverter, NOR-, OR-Funktion, NAND-, AND-Funktion,
- Oszillatoren: Auswahlkriterien, Frequenzstabilität, RC, LC, Quarz, Anschwingbedingung, offene Schleifenverstärkung, Parameterdarstellung, Schaltungen,
- Aufbau und Herstellung von Si-Planartransistoren: Masken, Lithografie, Ätzen, Dotierung
- Praktikumsversuche: Halbleiterdioden, Halbleiterkennlinien, Transistorgrundschaltungen, Transistorschaltverhalten sowie TTL- und CMOS-Technik, Operationsverstärker, Speicher und programmierbare Logik
Overhead-Folien, Kopiervorlagen von Overhead-Folien und Übungsblättern, Anleitungen zum
Praktikum
Bystron, Klaus; Borgmeyer, Johannes: Grundlagen der Technischen Elektronik, Fachbuchverlag Leipzig
Cooke, M.J.: Halbleiter-Bauelemente, Hanser, ISBN 3-446-16316-6
Giacoletto, Landee: Electronics Designer"s Handbook, Mc Graw Hill
Koß, Günther; Reinhold, Wolfgang: Lehr- und Übungsbuch Elektronik, Fachbuchverlag Leipzig, ISBN 3-446-18714-6
Millman, J.; Grabel, A.: Microelectronics, Mc Graw Hill, ISBN 0-07-100596-X
Möschwitzer, A.: Grundlagen der Halbleiter& Mikroelektronik, Band 1: Elektronische
Halbleiterbauelemente, Hanser
Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik, Springer
Reisch, M.: Elektronische Bauelemente, Springer, ISBN 3-540-60991-1
Tietze; Schenk: Halbleiterschaltungstechnik, Springer
Fri Mar 29 00:57:32 CET 2024, CKEY=eeij, BKEY=bmt2, CID=[?], LANGUAGE=de, DATE=29.03.2024