| Nom d'élément:
Bases de l´électronique
|
| Filière:
Ingénierie des Systèmes Intelligents Communicants et Énergies, Bachelor, ASPO 01.10.2018 |
| Code: DFBGE-016 |
| Volume horaire: 36CM+12TD (48 heures) |
| Crédits: 4 |
| Semestre: 2 |
| Matière obligatoire: oui |
Langue de travail:
allemand |
Type d'examen:
[non documentée]
|
Localisation dans le cursus:
DFBGE-016 Ingénierie des Systèmes Intelligents Communicants et Énergies, Bachelor, ASPO 01.10.2018
, semester 2, matière obligatoire
DFBGE-016 Ingénierie des systèmes intelligents communicants et énergies, Bachelor, ASPO 01.10.2015
, semester 2, matière obligatoire
|
Charge de travail:
|
Pré-requis:
DFBGE-007 Électricité, électrostatique, magnétostatique
[dernière modification 01.10.2017]
|
Pré-requis pour:
DFBGE-027
DFBGE-034
DFBGE-035
DFBGE-055
DFBGE-064
DFBGE-068
DFBGE-069
DFBGE-096
[dernière modification 20.08.2020]
|
Responsable:
Prof. Dr. Volker Schmitt |
Enseignant(e): Prof. Dr. Volker Schmitt
[dernière modification 01.10.2017]
|
Objectifs:
Donner aux étudiants les connaissances concernant le fonctionnement des composants électroniques (diode, transistor bipolaire) à la base des effets physiques; donner aux étudiants les connaissances des méthodes technologiques de la fabrication des composants électroniques
[dernière modification 06.11.2015]
|
Contenu pédagogique:
Le modèle atomique de Bohr et Rutherford, le niveau d’énergie, le système périodique, le modèle des bandes d’énergie, la distribution de Fermi, le conducteur, le semi-conducteur, l’isolateur, le dopage, le courant de diffusion, le courant de dérive, la durée de vie des porteurs de charge, la zone de transition pn, la diode, la charge volumique, la capacité de la couche de jonction, le transistor bipolaire.
La production du disque de monocristal (wafer) : la réduction du SiO2, le nettoyage par procédé de SIEMENS, la procédure de purification par zone et d´extraction d´un monocristal d´après Czochalski, les différents moyens d´éclairage photo, les moyens de corrosion, de dissolution et de dopage (la diffusion avec la source limitée et illimitée et l´implantation ionique), les moyens de déposition, la métallisation avec l´Aluminium, la comparaison des différentes possibilités de fabrication du transistor à effet de champ à grille métal-oxyde, le
principe de fonctionnement du MOSFET à canal N et à canal P.
[dernière modification 06.11.2015]
|
Supports pédagogiques:
Les copies des transparents pour rétroprojecteur, des textes écrits
[dernière modification 06.11.2015]
|
Bibliographie:
M. J. Cooke : Halbleiter-Bauelemente. Hanser Verlag, ISBN 3-446-16316-6
G. Koß, W. Reinhold : Lehr- und Übungsbuch Elektronik. Fachbuchverlag Leipzig, ISBN 3-446-18714-6
M. Reisch : Elektronische Bauelemente. Springer Verlag, ISBN 3-540-60991-1
A. Möschwitzer : Grundlagen der Halbleiter- & Mikroelektronik. Band 1, Hanser Verlag
Bystron/Borgmeyer : Grundlagen der technischen Elektronik. Hanser Verlag
H. Göbel : Einführung in die Halbleiterschaltungstechnik. Springer Verlag, ISBN 3-540-23445-4
Hilleringmann, U.: Silizium Halbleitertechnologie, Vieweg und Teubner Verlag, ISBN 3835102451
Albers, J.: Grundlagen integrierter Schaltungen, Hanser Fachbuchverlag, ISBN 3446422323
Hoppe, Bernhard: Mikroelektronik, 2 Bde., Vogel Verlag, ISBN 3802315189
Baker, R. J.: CMOS Circuit Design, Layout and Simulation, Prentice Hall, ISBN 8120316827
[dernière modification 06.11.2015]
|
