E910 em 2 V 1 U 1 P 5 9 ja Englisch 2 Versuchsberichte, Projektarbeit E910 Elektrotechnik 9 Pflichtfach Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 60 Veranstaltungsstunden (= 45 Zeitstunden). Der Gesamtaufwand des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Stunden/ECTS Punkt). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 105 Stunden zur Verfügung. Prof. Dr.-Ing. Stefan Winternheimer swi Prof. Dr.-Ing. Stefan Winternheimer swi Mit der Vermittlung von anwendungsorientierten Kenntnissen der Leistungselektronik lernen die Studierenden Aufbau und Funktion von Leistungshalbleiter-Bauelementen kennen. Sie sind in der Lage, alle Bauteile für die gebräuchlichsten Schaltungen der Leistungselektronik zu dimensionieren und die Materialkosten eines Gerätes zu ermitteln. 1. Power Semiconductor Devices 1.1 Basic Semiconductor Physics 1.2 Power Diodes 1.3 Bipolar Junction Transistors 1.4 Power MOSFETs 1.5 Tyristors 1.6 Isulated Gate Bipolar Transistors 2. Practical Converter Design Considerations 2.1 Gate and Base Drive Circuits 2.2 Losses in Power Devices 2.3 Heat Transfer 2.4 Heat Sinks 3. Design of Magnetic Components 3.1 Magnetic Materials and Cores 3.2 Copper Windings 3.3 Thermal Considerations 3.4 Inductor Design Procedures 3.5 Transformer Design Procedures 4. Practice 4.1 Switching behaviour of IGBTs and Bipolar Diodes 4.2 Operation of Inductors and HF-Transformers Skript zur Vorlesung, Folien, Tafel, CD: Studentenversion SIMPLORER, PC, Beamer [1]Sze S.M.: „Physics of Semiconductor Devices“, 2nd Edition, New York / Chichester / Brisbane / Toronto / Singapore: John Wiley & Sons, 1981 [2]Mohan, Undeland, Robbins: „Power Electronics“ 2nd Edition, New York / Chichester / Brisbane / Toronto / Singapore: John Wiley & Sons, 1995 Fri Jun 12 00:37:09 CEST 2026, CKEY=eped, BKEY=em, CID=[?], LANGUAGE=de, DATE=12.06.2026