| Modulbezeichnung: Elektronische Bauelemente |
| Modulbezeichnung (engl.): Electronics I |
| Studiengang: Biomedizinische Technik, Bachelor, ASPO 01.10.2013 |
| Code: BMT1304 |
| SWS/Lehrform: 3V+2U (5 Semesterwochenstunden) |
| ECTS-Punkte: 5 |
| Studiensemester: 3 |
| Pflichtfach: ja |
| Arbeitssprache: Deutsch |
| Prüfungsart: Teilleistungen [letzte Änderung 01.08.2013] |
| Verwendbarkeit / Zuordnung zum Curriculum: BMT1304 Biomedizinische Technik, Bachelor, ASPO 01.10.2013, 3. Semester, Pflichtfach |
| Arbeitsaufwand: Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 75 Veranstaltungsstunden (= 56.25 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 93.75 Stunden zur Verfügung. |
| Empfohlene Voraussetzungen (Module): Keine. |
| Als Vorkenntnis empfohlen für Module: BMT1404 Elektronische Schaltungs- und Messtechnik [letzte Änderung 10.11.2013] |
| Modulverantwortung: Prof. Dr. Wenmin Qu |
| Dozent: Prof. Dr. Wenmin Qu [letzte Änderung 10.11.2013] |
| Lernziele: Es wird ein fundamentales ingenieurwissenschaftliches Grundwissen der Elektronik in der Biomedizintechnik angelegt. Verständnis der Funktion und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen und Transistorgrund-schaltungen. Erweiterung zu Transistor-Verbundschaltungen. Befähigung zum Entwurf einfacher häufig vorkommender Schaltungen [letzte Änderung 10.11.2013] |
| Inhalt: Einführung: Halbleiter-Materialien, Dotierung, p- und n-Leiter, Planartechnik, Moore`s law. Dioden: Aufbau und Funktionsprinzip, Ersatzschaltbild und Kennlinie, Modell und Kleinsignalanalyse; Spezielle Dioden: PIN-Diode, Zenerdiode, Tunneldiode, Schottky-Diode, Fotodiode, LED und Solarzelle. Anwendungen von Dioden als Gleichrichter, Amplitudenbegrenzer, Hüllkurvendemodulator und Spannungsstabilisator . Bipolartransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Kennlinien und Arbeitsbereich, Statische und dynamische Eigenschaften, Arbeitspunkteinstellung, Transistorgrundschaltungen, Stromspiegel und Stromquelle, Temperaturverhalten und Stabilisierung. Thyristoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Eingangs- und Ausganskennlinien, Thyristor als steuerbaren Gleichrichter, Phasenanschnittsteuerung. Feldeffekttransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip von Sperrschicht-, Isolierschicht-, n-Kanal- und p-Kanalfeldeffekttransistoren, Kennlinien und Eigenschaften, Kleinsignalmodelle, Schaltungen mit Feldeffekttransistoren. Kurzeinführung in die Schaltungssimulation mittels PSPICE. Anwendung von Transistoren: - Leistungsverstärker: Leistungstransistoren, Darlingtontransistoren, IGBT, Verlust und Wirkungsgrad, A-, B- und AB-Betrieb, Komplementärendstufe, Kurzschlussfestschaltung. - Transistoren als Schaltelemente: Schaltverhalten von Leistungsdioden und Leistungstransistoren, Ausräumstrom und Verzögerungszeit, Verlustleistung und Wärmeableitung, Dimensionierung des Kühlköpers, induktive Last und Freilaufdiode. [letzte Änderung 10.11.2013] |
| Lehrmethoden/Medien: Overhead-Folien, Kopiervorlagen von Overhead-Folien und Aufgabenblättern [letzte Änderung 10.11.2013] |
| Literatur: [noch nicht erfasst] |
[Sun Dec 5 02:32:52 CET 2021, CKEY=beid, BKEY=bmt2, CID=BMT1304, LANGUAGE=de, DATE=05.12.2021]