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Modulbezeichnung (engl.):
Electronics I |
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Code: BMT1304 |
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3V+2U (5 Semesterwochenstunden) |
5 |
Studiensemester: 3 |
Pflichtfach: ja |
Arbeitssprache:
Deutsch |
Prüfungsart:
Teilleistungen
[letzte Änderung 01.08.2013]
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BMT1304 (P213-0073, P213-0074, P213-0075) Biomedizinische Technik, Bachelor, ASPO 01.10.2013
, 3. Semester, Pflichtfach
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Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 75 Veranstaltungsstunden (= 56.25 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 93.75 Stunden zur Verfügung.
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Empfohlene Voraussetzungen (Module):
Keine.
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Als Vorkenntnis empfohlen für Module:
BMT1404 Elektronische Schaltungs- und Messtechnik
[letzte Änderung 10.11.2013]
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Modulverantwortung:
Prof. Dr. Wenmin Qu |
Dozent/innen: Prof. Dr. Wenmin Qu
[letzte Änderung 10.11.2013]
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Lernziele:
Es wird ein fundamentales ingenieurwissenschaftliches Grundwissen der Elektronik in der Biomedizintechnik angelegt. Verständnis der Funktion und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen und Transistorgrund-schaltungen. Erweiterung zu Transistor-Verbundschaltungen. Befähigung zum Entwurf einfacher häufig vorkommender Schaltungen
[letzte Änderung 10.11.2013]
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Inhalt:
Einführung: Halbleiter-Materialien, Dotierung, p- und n-Leiter, Planartechnik, Moore`s law. Dioden: Aufbau und Funktionsprinzip, Ersatzschaltbild und Kennlinie, Modell und Kleinsignalanalyse; Spezielle Dioden: PIN-Diode, Zenerdiode, Tunneldiode, Schottky-Diode, Fotodiode, LED und Solarzelle. Anwendungen von Dioden als Gleichrichter, Amplitudenbegrenzer, Hüllkurvendemodulator und Spannungsstabilisator . Bipolartransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Kennlinien und Arbeitsbereich, Statische und dynamische Eigenschaften, Arbeitspunkteinstellung, Transistorgrundschaltungen, Stromspiegel und Stromquelle, Temperaturverhalten und Stabilisierung. Thyristoren: Aufbau und Funktionsprinzip, Eingangs- und Ausganskennlinien, Thyristor als steuerbaren Gleichrichter, Phasenanschnittsteuerung. Feldeffekttransistoren: Aufbau und Funktionsprinzip von Sperrschicht-, Isolierschicht-, n-Kanal- und p-Kanalfeldeffekttransistoren, Kennlinien und Eigenschaften, Kleinsignalmodelle, Schaltungen mit Feldeffekttransistoren. Kurzeinführung in die Schaltungssimulation mittels PSPICE. Anwendung von Transistoren: - Leistungsverstärker: Leistungstransistoren, Darlingtontransistoren, IGBT, Verlust und Wirkungsgrad, A-, B- und AB-Betrieb, Komplementärendstufe, Kurzschlussfestschaltung. - Transistoren als Schaltelemente: Schaltverhalten von Leistungsdioden und Leistungstransistoren, Ausräumstrom und Verzögerungszeit, Verlustleistung und Wärmeableitung, Dimensionierung des Kühlköpers, induktive Last und Freilaufdiode.
[letzte Änderung 10.11.2013]
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Weitere Lehrmethoden und Medien:
Overhead-Folien, Kopiervorlagen von Overhead-Folien und Aufgabenblättern
[letzte Änderung 10.11.2013]
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Literatur:
[noch nicht erfasst]
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