|
|
Code: DFBGE-027 |
3V+1U (4 Semesterwochenstunden) |
4 |
Studiensemester: 3 |
Pflichtfach: ja |
Arbeitssprache:
Deutsch |
Prüfungsart:
Klausur
[letzte Änderung 02.11.2015]
|
DFBGE-027 Elektrotechnik - Erneuerbare Energien und Systemtechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2018
, 3. Semester, Pflichtfach, Modul inaktiv seit 08.12.2015
DFBGE-027 Elektrotechnik, Bachelor, ASPO 01.10.2015
, 3. Semester, Pflichtfach, Modul inaktiv seit 08.12.2015
|
Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 60 Veranstaltungsstunden (= 45 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 4 Creditpoints 120 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 75 Stunden zur Verfügung.
|
Empfohlene Voraussetzungen (Module):
DFBGE-007 Électricité, électrostatique, magnétostatique DFBGE-016 Bases de l´électronique DFBGE-018 Vibrations + circuits électriques
[letzte Änderung 08.12.2015]
|
Als Vorkenntnis empfohlen für Module:
DFBGE-035 Elektronik 2 DFBGE-055 Leistungselektronik
[letzte Änderung 11.12.2015]
|
Modulverantwortung:
Prof. Dr. Xiaoying Wang |
Dozent/innen: Prof. Dr. Volker Schmitt
[letzte Änderung 08.12.2015]
|
Lernziele:
Basierend auf dem vermittelten Grundlagenwissen zu den Eigenschaften elektronischer Bauelemente – hier Dioden und Bipolartransistoren – werden die Studierenden dazu befähigt, verschiedene rechneriische und grafische Methoden zur Schaltungsanalyse und –dimensionierung anzuwenden. Sie sind damit in der Lage, vorgegebene Schaltungen funktionell zu verstehen und auch umgekehrt einfache vorgegebene Funktionen unter Beachtung einschränkender Randbedingungen in Schaltungen umzusetzen.
[letzte Änderung 02.11.2015]
|
Inhalt:
- Grundbegriffe, Übersicht - Dioden: Kennlinie, Arbeitspunkt, Amplitudenbegrenzer, Gleichrichter, Spitzenstrom, Welligkeit, Glättung, Spannungsverdoppler, Sampling-Gate, Spannungsstabilisierung, Hüllkurvendemodulator, - stückweises lineares Diodenmodell, Kleinsignalersatzschaltbild, - Temperaturverhalten, Sperrschicht- und Diffusionskapazität, Durchbruchmechanismen, - Spezielle Dioden: PIN-Diode, Zenerdiode, Backward-Diode, Tunneldiode, Varaktordiode, Schottky-Diode, Fotodiode, Solarzelle, Leuchtdiode, - Kurzeinführung in die Schaltungssimulation mittels PSPICE, - Bipolartransistoren: Aufbau, Kennlinien, Ebers-Moll-Gleichungen, Betriebsbereiche, statische und dynamische Eigenschaften, Temperaturverhalten, Grenzdaten, - Schaltungsvarianten zur Arbeitspunkteinstellung, Stabilisierung, - Parameterdarstellungen: H- und Y-Parameter, Betriebsgrößen, H-Parameter und Kennlinienfeld, Y-Parameter und Grundschaltungen des Bipolartransistors, - Kleinsignalverstärker mit Bipolartransistoren: Giacoletto-Modell, charakteristische Grenzfrequenzen, NF-Verhalten, HF-Verhalten, - Leistungsverstärker mit Bipolartransistoren: A-, B- und AB-Betrieb, Wirkungsgrad
[letzte Änderung 02.11.2015]
|
Weitere Lehrmethoden und Medien:
Folien, Kopiervorlagen von Folien und Aufgabenblättern
[letzte Änderung 02.11.2015]
|
Literatur:
M. J. COOKE: Halbleiter-Bauelemente; Hanser Verlag, ISBN 3-446-16316-6 M. REISCH: Elektronische Bauelemente; Springer Verlag, ISBN 3-540-60991-1 A. MÖSCHWITZER: Grundlagen der Halbleiter- & Mikroelektronik, Band 1: Elektronische Halbleiterbauelemente; Hanser Verlag BYSTRON/BORGMEYER: Grundlagen der technischen Elektronik; Hanser Verlag R. MÜLLER: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik; Springer Verlag J. MILLMAN, A. GRABEL: Microelectronics; Mc Graw Hill Verlag, ISBN 0-07-100596-X TIETZE, SCHENK: Halbleiterschaltungstechnik; Springer Verlag GIACOLETTO, LANDEE: Electronics Designer´s Handbook; Mc Graw Hill Verlag GÜNTHER KOß, WOLFGANG REINHOLD: Lehr- und Übungsbuch Elektronik; Fachbuchverlag Leipzig, ISBN 3-446-18714-6
[letzte Änderung 02.11.2015]
|