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Modulbezeichnung (engl.):
Power Electronics Design |
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Code: E910 |
2V+1U+1P (4 Semesterwochenstunden) |
5 |
Studiensemester: 9 |
Pflichtfach: ja |
Arbeitssprache:
Englisch |
Prüfungsart:
2 Versuchsberichte, Projektarbeit
[letzte Änderung 07.01.2010]
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E910 Elektrotechnik, Master, ASPO 01.10.2005
, 9. Semester, Pflichtfach
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Die Präsenzzeit dieses Moduls umfasst bei 15 Semesterwochen 60 Veranstaltungsstunden (= 45 Zeitstunden). Der Gesamtumfang des Moduls beträgt bei 5 Creditpoints 150 Stunden (30 Std/ECTS). Daher stehen für die Vor- und Nachbereitung der Veranstaltung zusammen mit der Prüfungsvorbereitung 105 Stunden zur Verfügung.
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Empfohlene Voraussetzungen (Module):
Keine.
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Als Vorkenntnis empfohlen für Module:
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Modulverantwortung:
Prof. Dr.-Ing. Stefan Winternheimer |
Dozent/innen: Prof. Dr.-Ing. Stefan Winternheimer
[letzte Änderung 12.03.2010]
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Lernziele:
Mit der Vermittlung von anwendungsorientierten Kenntnissen der Leistungselektronik lernen die Studierenden Aufbau und Funktion von Leistungshalbleiter-Bauelementen kennen. Sie sind in der Lage, alle Bauteile für die gebräuchlichsten Schaltungen der Leistungselektronik zu dimensionieren und die Materialkosten eines Gerätes zu ermitteln.
[letzte Änderung 07.01.2010]
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Inhalt:
1. Power Semiconductor Devices 1.1 Basic Semiconductor Physics 1.2 Power Diodes 1.3 Bipolar Junction Transistors 1.4 Power MOSFETs 1.5 Tyristors 1.6 Isulated Gate Bipolar Transistors 2. Practical Converter Design Considerations 2.1 Gate and Base Drive Circuits 2.2 Losses in Power Devices 2.3 Heat Transfer 2.4 Heat Sinks 3. Design of Magnetic Components 3.1 Magnetic Materials and Cores 3.2 Copper Windings 3.3 Thermal Considerations 3.4 Inductor Design Procedures 3.5 Transformer Design Procedures 4. Practice 4.1 Switching behaviour of IGBTs and Bipolar Diodes 4.2 Operation of Inductors and HF-Transformers
[letzte Änderung 07.01.2010]
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Weitere Lehrmethoden und Medien:
Skript zur Vorlesung, Folien, Tafel, CD: Studentenversion SIMPLORER, PC, Beamer
[letzte Änderung 07.01.2010]
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Literatur:
[1]Sze S.M.: „Physics of Semiconductor Devices“, 2nd Edition, New York / Chichester / Brisbane / Toronto / Singapore: John Wiley & Sons, 1981 [2]Mohan, Undeland, Robbins: „Power Electronics“ 2nd Edition, New York / Chichester / Brisbane / Toronto / Singapore: John Wiley & Sons, 1995
[letzte Änderung 07.01.2010]
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